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芯片技术资料

9 条型号记录

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GBU1006

Diodes Incorporated

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU 封装。

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GBU1006

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。

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GBU1006 C2

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。

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GBU1006 D2

Taiwan Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A，采用 GBU-4 封装。

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GBU1006 D2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 220 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBU-4 封装。

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GBU1006-K

Taiwan Semiconductor

主要参数包括原产国家或地区中国。

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GBU1006H

Taiwan Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区中国。

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GBU1006HD2

Taiwan Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A，采用 GBU-4 封装。

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EGBU1006-BP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 10 A、正向电压（Vf） 1.7 V、反向电流（Ir） 100 uA、恢复时间 35 ns。

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