GBU1002H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括端接方式 Radial、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国，采用 GBU 封装。
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GBU1002HD2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 220 A，采用 GBU-4 封装。
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