GBPC5006
Taiwan Semiconductor
主要参数包括型号别名 GBPC5006 T0G、单件重量 0.616307 oz，采用 GBPC-4 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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GBPC5006 T0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5006 T0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5006-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 500 A，采用 GBPC-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5006-G
Comchip Technology
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Quick Connect、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBPC-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5006M
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBPC-M 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5006M T0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 29 mm x 29 mm x 7.87 mm 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5006M T0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 50 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5006T
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 V - 50 A
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC5006W
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 V - 50 A
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