GBPC4004
Taiwan Semiconductor
采用 GBPC-4 封装。
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芯片技术资料
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GBPC4004 T0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC4004 T0G
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 40A, 400V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC4004M
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 GBPC-M 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC4004M T0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 29 mm x 29 mm x 7.87 mm 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC4004M T0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40 封装。
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