GBPC40005
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国，采用 GBPC-4 封装。
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芯片技术资料
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GBPC40005 T0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC40-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC40005 T0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC40005M
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Screw、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 50 C，采用 GBPC40-M-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC40005M T0
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 40A, 50V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC40005M T0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 40 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。
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