GBPC3502W
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W 封装。
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GBPC3502W
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 35 A
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC3502W
Taiwan Semiconductor
主要参数包括端接方式 Solder Pin、原产国家或地区 中国、型号别名 GBPC3502W T0、单件重量 0.598246 oz，采用 GBPC-W-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC3502W
onsemi
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC3502W T0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC3502W T0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC3502W-E4/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC3502W-E4\51
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC3502W-G
Comchip Technology
主要参数包括端接方式 Quick Connect、单件重量 0.607065 oz，采用 GBPC-W 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersVS-GBPC3502W
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。
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