GBPC35005W
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W 封装。
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GBPC35005W
GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC35005W
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 50 C，采用 GBPC-W-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC35005W T0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 29 mm x 29 mm x 11.23 mm 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC35005W T0G
Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 35A, 50V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, WIRE
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC35005W-E4/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBPC-W 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBPC35005W-E4\51
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBPC-W 封装。
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