GBP206
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 2 A、峰值反向电压 600 V，采用 GBP-4 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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GBP206
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。
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