GBLA08
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国，采用 GBL-4 封装。
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芯片技术资料
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GBLA08 C2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBLA08 D2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A，采用 GBL-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBLA08-E3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBLA08-E3/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBLA08-M3/45
Vishay Semiconductors
Bridge Rectifiers 4A,800V,GPP,INLINE BRIDGE
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBLA08-M3/51
Vishay Semiconductors
Bridge Rectifiers 4A,800V,GPP,INLINE BRIDGE
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBLA08H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBLA08HD2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
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