GBLA02
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国，采用 GBL-4 封装。
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GBLA02 C2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBLA02 D2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A，采用 GBL-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBLA02-E3/45
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBLA02-E3/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 GBL 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBLA02H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括端接方式 Radial、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国，采用 GBL 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBLA02HD2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
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