GBJ3508
Diodes Incorporated
主要参数包括技术 Si、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 400 A，采用 GBJ-4 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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GBJ3508-BP
Micro Commercial Components (MCC)
Bridge Rectifiers 800V, 35A
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBJ3508L-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.242438 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBJ3508LL_T0_00601
Panjit
主要参数包括类型 Glass Passivated Bridge Rectifier、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 35 A、正向电压（Vf） 800 mV、最大浪涌电流 450 A、反向电流（Ir） 5 uA，采用 GBJ-2-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers3GBJ3508-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.535741 oz。
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