GBJ30K
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 5.2 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 420 A，采用 GBJ-4 封装。
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