GBJ25K
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBJ-4 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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GBJ25KGLV
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder、正向电流（If） 25 A、峰值反向电压 800 V，采用 TS-6P-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBJ25KH-TU
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。
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