GBJ25J
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 350 A，采用 GBJ-4 封装。
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原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| GBJ25L06_HF | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| GBJ25L06-TU | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |