GBJ15J
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 3.5 A、峰值反向电压 600 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 250 A，采用 GBJ-4 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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GBJ15JL-TU
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。
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