原型号
查看详情 · 9 条候选DG309DY-T1-E3
Vishay Siliconix
- DG409DY-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐
搜索结果
原厂资料
7 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| PI7C9X20303ULAZPEX | Diodes Incorporated |
| 2026-01-22 | 查看资料 |
| IHCM2321AAEG301N10 | Vishay |
| 2025-09-11 | 查看资料 |
| G30H150CTFW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| G30H150CTW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| RHRG1560CC-F085 | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| CG10167AA | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG10167AAT | Infineon |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 2 条候选DG384ACK
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- DG302ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选DG387BDJ
Vishay Siliconix
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- DG305ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号
查看详情 · 42 条候选DG454EY-T1-E3
Vishay Siliconix
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- DG309DY+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选EFM32HG308F32G-C-QFN24
Silicon Labs
- EFM32GG12B130F512GM64-ASilicon Labs第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 1 条候选EFM32HG309F64N-C-QFN24R
Silicon Labs
- EFM32GG12B130F512GM64-ARSilicon Labs第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 3 条候选HI9P0303-9
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- DG303BDY-E3Vishay Siliconix相似型号
原型号
查看详情 · 8 条候选IS61LV5128AL-10KLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- CY7C1049G30-10VXIInfineon Technologies直接替代候选
原型号
查看详情 · 4 条候选PQ1CG3032FZH
Sharp Microelectronics
- LM2576T-ADJ/NOPBTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选R5109G301A-TR-FE
Nisshinbo Micro Devices Inc.
- R5107G301A-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
G30
MACOM
RF Wireless Misc 100-2000MHz IL <3dB Max Attn >38dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Wireless MiscG30H100CTFW
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 790 mV，采用 ITO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersG30H100CTW
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 790 mV，采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersG30H120CTFW
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 120 V、正向电压（Vf） 840 mV，采用 ITO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersG30H120CTW
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 30 A、重复反向电压（Vrrm） 120 V、正向电压（Vf） 840 mV，采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers4PS03012S43G30699
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 4PS03012S43G30699NOSA1 SP000390320。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesAG302-63G
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1066836，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAG302-86G
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.2 V、电源电压（最大值） 5 V、工作频率 0 Hz to 6 GHz、测试频率 900 MHz、技术 GaAs InGaP，采用 SOT-86 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAG303-63G
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1066838。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAG303-86G
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.2 V、电源电压（最大值） 4.5 V、工作频率 0 Hz to 6 GHz、测试频率 900 MHz、类型 General Purpose Amplifier，采用 SOT-86 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier