FZ1200R17HE4PHPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1.7 kV、集电极-发射极饱和电压 1.95 V、最大栅射电压 - 20 V, 20 V、25°C 时连续集电极电流 1.2 kA。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs技术资料参考
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Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1.7 kV、集电极-发射极饱和电压 1.95 V、最大栅射电压 - 20 V, 20 V、25°C 时连续集电极电流 1.2 kA。
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