FSAM50SM60A
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、集电极-发射极饱和电压 2.4 V、耗散功率(Pd) 100 W、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 125 C、连续集电极电流 50 A,采用 SPM32-AA 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FSAM50SM60A | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、集电极-发射极饱和电压 2.4 V、耗散功率(Pd) 100 W、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 125 C、连续集电极电流 50 A,采用 SPM32-AA 封装。
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