FS310
Optek / TT Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.6 V、产品 Encoders、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 MX，采用 OQFN-32 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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AUIRFS3107-7P
Infineon / IR
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 Automotive MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 75 V，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETAUIRFS3107-7TRL
Infineon / IR
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 75 V、连续漏极电流（Id） 260 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETAUIRFS3107TRL
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 75 V、连续漏极电流（Id） 260 A，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIRFS3107TRL7PP
Infineon / IR
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 75 V、连续漏极电流（Id） 260 A，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIRFS3107TRLPBF
Infineon / IR
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 75 V、连续漏极电流（Id） 230 A，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETUFS310G/TR13
Microchip / Microsemi
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUFS310Ge3/TR13
Microchip / Microsemi
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUFS310J/TR13
Microchip / Microsemi
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUFS310Je3/TR13
Microchip / Microsemi
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers