FS100R12KT4
Infineon Technologies
主要参数包括商品名称 TRENCHSTOP、型号别名 FS100R12KT4BOSA1 SP000408740、单件重量 6.349313 oz。
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芯片技术资料
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FS100R12KT4BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、型号别名 FS100R12KT4 SP005422436。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesFS100R12KT4G
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.2 V、25°C 时连续集电极电流 100 A，采用 Econo 3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesFS100R12KT4G_B11
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、25°C 时连续集电极电流 100 A、最小工作温度 - 40 C，采用 Econo 3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesFS100R12KT4PB11BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括商品名称 TRENCHSTOP、型号别名 FS100R12KT4P_B11 SP001380536，采用 AG-ECONO3-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT ModulesFS100R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括商品名称 TRENCHSTOP、型号别名 FS100R12KT4P SP001419630，采用 AG-ECONO3-4 封装。
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