FS100R12KT3
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1200 V、25°C 时连续集电极电流 140 A、最小工作温度 - 40 C,采用 Econo 3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules技术资料参考
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Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1200 V、25°C 时连续集电极电流 140 A、最小工作温度 - 40 C,采用 Econo 3 封装。
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