FQD1N60CTM
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET搜索结果
原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FQD1N60CTM | onsemi |
| 2022-06-30 | 查看资料 |
| NDDL01N60ZT4G | onsemi |
| 2017-09-01 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料