FODM217DR2V
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、正向电流（If） 8 mA、最大集电极－发射极电压 80 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOP-4 封装。
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