FOD2741B
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 封装。
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FOD2741B
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 PDIP-8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Optically Isolated AmplifiersFOD2741BS
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-DIP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersFOD2741BS
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、正向电压（Vf） 1.5 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SMD-DIP-8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Optically Isolated AmplifiersFOD2741BSD
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-DIP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersFOD2741BSD
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、隔离电压 5000 Vrms、正向电流（If） 20 mA、正向电压（Vf） 1.5 V、最小工作温度 - 40 C，采用 SMD-DIP-8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Optically Isolated AmplifiersFOD2741BSDV
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-DIP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersFOD2741BSV
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 SMD-DIP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersFOD2741BTV
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersFOD2741BV
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Phototransistor、正向电流（If） 20 mA、最大集电极－发射极电压 30 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 PDIP-8 封装。
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