FGH40T65UPD
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 2.1 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 80 A、耗散功率（Pd） 268 W，采用 TO-247 封装。
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