FFSB0665B
ON Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、产品 Schottky Silicon Carbide Diodes、正向电流(If) 6 A、重复反向电压(Vrrm) 650 V、正向电压(Vf) 1.38 V、正向浪涌电流(Ifsm) 45 A,采用 TO-263-3 封装。
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ON Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、产品 Schottky Silicon Carbide Diodes、正向电流(If) 6 A、重复反向电压(Vrrm) 650 V、正向电压(Vf) 1.38 V、正向浪涌电流(Ifsm) 45 A,采用 TO-263-3 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括配置 Single、正向电流(If) 6 A、重复反向电压(Vrrm) 650 V、正向电压(Vf) 1.38 V、正向浪涌电流(Ifsm) 45 A、反向电流(Ir) 500 nA,采用 D2PAK-2 封装。
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该型号为二极管。
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该型号为二极管,主要参数包括配置 Single、正向电流(If) 6 A、重复反向电压(Vrrm) 650 V、正向电压(Vf) 1.38 V、正向浪涌电流(Ifsm) 45 A、反向电流(Ir) 500 nA,采用 D2PAK-2 封装。
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