FF7MR12W1M1HB17BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 105 A、漏源导通电阻（Rds On） 5.8 mOhms、栅源电压（Vgs） - 7 V, + 20 V，采用 48 mm x 33.8 mm x 12 mm 封装。
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