FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V、配置 Dual、原产国家或地区 AT、连续漏极电流（Id） 170 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor Modules搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料