FF300R12KT4PHOSA1
Infineon / IR
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 1.75 V、25°C 时连续集电极电流 300 A，采用 62 mm 封装。
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FF300R12KT4PHOSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.75 V、25°C 时连续集电极电流 300 A，采用 62 mm 封装。
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