FDMC86116LZ
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 3.3 A、漏源导通电阻（Rds On） 103 mOhms、栅源电压（Vgs） 20 V，采用 Power-33-8 封装。
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FDMC86116LZ
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主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 3.3 A、漏源导通电阻（Rds On） 103 mOhms，采用 Power-33-8 封装。
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