F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 MOSFET、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 95 A、漏源导通电阻（Rds On） 16.8 mOhms、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 25 V。
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