ES3DB
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
ES3DB M4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.86 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3DB R5G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 140 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.86 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3DB-13-F
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 900 mV、最大浪涌电流 100 A，采用 SMB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3DB-HF
Comchip Technology
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 90 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3DBHR5G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 140 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.86 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers