ES3D
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB 封装。
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ES3D
onsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 950 mV、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3D
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 900 mV、最大浪涌电流 115 A，采用 DO-214AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3D R6
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3D R6G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3D R7
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3D R7G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3D V6G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3D V7G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3D-13-F
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 900 mV、最大浪涌电流 100 A，采用 SMC 封装。
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