EPC2067
EPC
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 69 A，采用 LGA-14 封装。
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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 69 A，采用 LGA-14 封装。
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