EMT1DXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SOT-563-6 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 资料 |
|---|---|---|---|
| EMT2DXV6T5G | onsemi |
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技术资料参考
芯片技术资料
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EMT1DXV6T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-563-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVEMT1DXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVEMT1DXV6T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000096 oz。
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