EMF9T2R
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 320 MHz、配置 Dual、晶体管极性 NPN, N-Channel、最小直流电流增益（hfe） 270、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、连续集电极电流 500 mA，采用 EMT-6 封装。
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芯片技术资料
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