EMB53T2R
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益(hfe) 100 at - 5 mA, - 10 V、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 50 V,采用 SOT-563-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital Transistors技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括最大工作频率 250 MHz、配置 Dual、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 4.7 kOhms、最小直流电流增益(hfe) 100 at - 5 mA, - 10 V、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 50 V,采用 SOT-563-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital Transistors