EM6M2T2R
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 200 mA，采用 SOT-563-6 封装。
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