EL7158ISZ
Renesas / Intersil
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 12 V、工作电源电压 4.5～12 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。
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EL7158ISZ-T13
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.45 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversEL7158ISZ-T7
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.45 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversEL7158ISZ-T7A
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.45 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm，采用 SOIC-8 封装。
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