EL7156CSZ
Renesas / Intersil
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 16.5 V、工作电源电压 4.5~16.5 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Renesas / Intersil
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 16.5 V、工作电源电压 4.5~16.5 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversRenesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 1.45 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversRenesas / Intersil
主要参数包括电源电压(最大值) 18 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Inverting、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 1 Driver,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversRenesas / Intersil
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 16.5 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers