EGP10F
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers搜索结果
原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| EGP10FE-E3/54 | Vishay |
| 2021-04-26 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
EGP10F
onsemi
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersEGP10F-E3/54
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-204AL 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersEGP10F-E3/73
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-204AL 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersEGP10F-E3\54
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-204AL 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers