EGF1A
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC 封装。
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EGF1A
onsemi
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersEGF1A-E3/5CA
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214BA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersEGF1A-E3/67A
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214BA(GF1) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersEGF1A-E3\67A
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214BA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersEGF1AHE3_A/H
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214BA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersEGF1AHE3_A/I
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214BA-2 封装。
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