原型号
查看详情 · 2 条候选S912XEA128J2CAAR
NXP USA Inc.
- S912XEG128J2CAARNXP USA Inc.参数相近
搜索结果
原厂资料
9 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| AR0237ATSC12XUEA0-DPBR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| AR0239ATSH00XUEA0-DPBR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| AR0239ATSH00XUEA0-TPBR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| ASX342ATSC00XPED0-DP | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| ASX342ATSC00XPED0-DR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| ASX350AT3C00XPEA0-DR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| MT9V128IA3XTC-TR | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| AR0233ATSC17XUEA1-DPBR1 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
| AR0233ATSC17XUEA1-DRBR1 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 2 条候选S912XEG128J2CAAR
NXP USA Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- S912XEA128J2CAARNXP USA Inc.参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选S912XEG128W1MAA
NXP USA Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- S912XEA128J2MAANXP USA Inc.参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选SFEM008GB1EA1TO-I-GE-121-STD
Swissbit
- NSEC53T064-ITInsignis Technology Corporation相似型号
原型号
查看详情 · 2 条候选SFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-STD
Swissbit
- SFEM016GB1EA1TO-I-GE-121-STDSwissbit直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选TEA1733CT/N1,118
NXP USA Inc.
- TEA1733T/N1,118NXP USA Inc.直接替代候选
原型号
查看详情 · 2 条候选TEA18362LT/1J
NXP USA Inc.
- TEA18362T/1JNXP USA Inc.参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选TEA1999TK/1J
NXP USA Inc.
- TEA1999TK/2JNXP USA Inc.直接替代候选
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
EA1
MACOM
RF Amplifier 5-400MHz NF 4.3dB Gain 14.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierDS15EA101SQ/NOPB
Texas Instruments
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、数据速率 1.5 Gb/s、产品 Cable Equalizers、工作电源电流 77 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 WQFN-16 封装。
半导体 > 集成电路 > EqualizersDS15EA101SQE/NOPB
Texas Instruments
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、数据速率 1.5 Gb/s、产品 Cable Equalizers、工作电源电流 77 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 WQFN-16 封装。
半导体 > 集成电路 > EqualizersDS30EA101SQ/NOPB
Texas Instruments
主要参数包括工作电源电压 2.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、数据速率 3.125 Gb/s、工作电源电流 65 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WQFN-16 封装。
半导体 > 集成电路 > EqualizersDS30EA101SQE/NOPB
Texas Instruments
主要参数包括工作电源电压 2.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、数据速率 3.125 Gb/s、工作电源电流 65 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WQFN-16 封装。
半导体 > 集成电路 > EqualizersDS30EA101SQX/NOPB
Texas Instruments
主要参数包括工作电源电压 2.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、数据速率 3.125 Gb/s、工作电源电流 65 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WQFN-16 封装。
半导体 > 集成电路 > EqualizersE2NC-EA102M
Omron Automation and Safety
主要参数包括原产国家或地区 日本、型号别名 E2NCEA102M。
半导体 > Amplifier ICs > Special Purpose AmplifiersS25FL512SAG-AEA10
Cypress Semiconductor
主要参数包括商品名称 MirrorBit。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashS25FL512SAG-AEA13
Cypress Semiconductor
主要参数包括商品名称 MirrorBit。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashS25FL512SAG-HEA10
Cypress Semiconductor
主要参数包括商品名称 MirrorBit。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash