AFE8220IPZPQ1
Texas Instruments
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 105 C、最大工作温度 + 105 C、认证等级 AEC-Q100、最小工作温度 - 40 C、湿敏性 是、单件重量 0.017990 oz，采用 HTQFP-100 封装。
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AFE8220TPZPQ1
Texas Instruments
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 105 C、最大工作温度 + 105 C、认证等级 AEC-Q100、最小工作温度 - 40 C、湿敏性 是、单件重量 0.017990 oz，采用 HTQFP-100 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Front EndAFE8221IRFPQ1
Texas Instruments
主要参数包括工作电源电压 1.6 V to 3.6 V, 3.14 V to 3.6 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、类型 AM, FM、工作电源电流 65 mA, 130 mA、最大工作温度 + 85 C、认证等级 AEC-Q100，采用 HTQFP-144 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Front EndBAS40E8224HTMA1
Infineon Technologies
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 BAS 40 E8224 SP000010231。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersIGT40R070D1E8220ATMA1
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 E8220 IGT40R070D1 SP001946158。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTN79E822ARG
Nuvoton
该型号为8 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、程序存储容量 2 kB、数据 RAM 容量 256 B、ADC 分辨率 10 位、输入／输出数 18 个输入／输出、定时器／计数器数 2 个定时器，采用 SSOP-20 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 8-bit Microcontrollers - MCUN79E822ASG
Nuvoton
该型号为8 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、程序存储容量 2 kB、数据 RAM 容量 256 B、ADC 分辨率 10 位、输入／输出数 18 个输入／输出、定时器／计数器数 2 个定时器，采用 SOP-20 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 8-bit Microcontrollers - MCUSIE822DF-T1-E3
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET, PolarPAK、高度 0.8 mm、长度 6.15 mm、宽度 5.16 mm、型号别名 SIE822DF-E3，采用 PolarPAK-10 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSIE822DF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET, PolarPAK、型号别名 SIE822DF-GE3。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET