MT53E1536M32D4DT-046 AAT ES:A
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1.5 G x 32。
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MT53E1536M32D4DT-046 AAT ES:A TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1.5 G x 32。
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主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1536 M x 32。
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主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1536 M x 32。
半导体 > Memory ICs > DRAMMT53E1536M32D4DT-046 AIT:A
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主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1536 M x 32。
半导体 > Memory ICs > DRAMMT53E1536M32D4DT-046 AIT:A TR
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主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1536 M x 32。
半导体 > Memory ICs > DRAMMT53E1536M32D4DT-046 WT:A
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主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1536 M x 32。
半导体 > Memory ICs > DRAMMT53E1536M32D4DT-046 WT:A TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1536 M x 32。
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