DTDG14GPT100
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 300、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、连续集电极电流 1 A、峰值直流集电极电流 1000 mA，采用 SOT-89-3 封装。
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