DTC144TM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160, 350、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-723-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-Biased搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
DTC144TM3T5G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 47 kOhms、最小直流电流增益（hfe） 160, 350、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-723-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital TransistorsNSVDTC144TM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedNSVDTC144TM3T5G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital Transistors