DTC124EEBTL
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益(hfe) 56、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 EMT-3 封装。
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该型号为晶体管,主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 1、最小直流电流增益(hfe) 56、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 EMT-3 封装。
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