DTA144WET1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益(hfe) 80、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 SC-75-3 封装。
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ON Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益(hfe) 80、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 SC-75-3 封装。
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该型号为晶体管,主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 47 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益(hfe) 80、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V,采用 SC-75-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital TransistorsON Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTonsemi
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、原产国家或地区 中国、认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000089 oz。
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