DTA123JM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 2.1、最小直流电流增益（hfe） 80、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V，采用 SOT-723-3 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 资料 |
|---|---|---|---|
| DTA123JM3T5G | onsemi |
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技术资料参考
芯片技术资料
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NSVDTA123JM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 0.2 VDC, 4.9 VDC、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-723-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedNSVDTA123JM3T5G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括输出电压 200 mVDC, 4.9 VDC、配置 Single、晶体管极性 PNP、典型输入电阻 2.2 kOhms、典型电阻比 0.047、最小直流电流增益（hfe） 80，采用 SOT-723-3 封装。
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